全国：以北京为中心，网络遍及全国两岸三地的高校、科研院所和军工企业。全球：出口至美国、日本、印度等海外国家。企业声明远方的你，是注重产品品质的你，正如精致的我，经营的高质产品。市场良莠不齐，价格林林...

磷化铟是以中国重要的化合物半导体材料，具有电子极限飘移速度高，耐辐射性好，导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路，在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事等...

产品信息磷化镓(GaP)是制作半导体发光器件的重要材料。其晶体是橙色透明的,具有闪锌矿结构,晶格常数为5.45?,解理面为{110}面,禁带宽度为2.26eV。与砷化镓不同,磷化镓是一种间接带隙材料...

GaAs砷化镓太阳能电池片-----转换效率：30%40%。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有更好的性能。砷化...

北京特博万德科技有限公司提供美国进口的锑化镓太阳能电池片。详情请见附件PDF资料。SingleCellsTopvendorTechnologysupplyofGaSbPVcellsasdescrib...

产品信息工艺：磁控溅射，金层均匀稳固结构：抛光硅片-----10~20nm粘结层（Ti或Ni）-----晶向（111）金层性质及用途：外观高贵金色，光洁如镜。化学稳定性好；耐高温；延展性能佳；具有很...

平整度好，颜色美丽，光泽如镜。厚度可按客户要求定做。可用于半导体光刻，纳米压印、PVD/CVD/分子束外延生长镀膜、MEMS、半导体器件等领域。产品信息工艺：LPCVD性质及用途：氮化硅材料：在微电...

可根据客户要求定制：以下参数仅供参考。1.氧化层硅：标准SiO2层厚度3000A,5000A，其它厚度可根据客户要求定制2.氮化硅片：表面100nm厚度氮化硅SiN层，其他厚度可据客户要求定制3SO...

单晶掺杂导电类型载流子浓度cm-3位错密度cm-2生长方法尺寸标准基片GaSbNoneNonehighRZnTeTehighRPP-P+NN1~2×10171~5×10161~5...

蓝绿外延片为2英寸氮化镓（GaN）外延片，通过MOCVD技术（金属有机气相沉积）在蓝宝石衬底上生长P层氮化镓和N层氮化镓。红黄外延片为2英寸砷化镓（GaAs）外延片，通过MOCVD技术在砷化镓衬底上...

单壁高纯碳纳米管产品基本参数纯度：>90%外径：1-2nm[OD=OuterDiameter]内径：0.8-1.6nm[ID=InnerDiameter]长度：5-30um比表面积：>3...

适用于Si,SiO2,金属，III-V,有机物等材料的刻蚀，系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片（如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石...

1.低温泵/冷泵Cryopump2.制冷机Cryostat3.氦气压缩机HeliumCompressor4.低温泵、制冷机、压缩机零配件（可与CTI,APD,瓦里安/Ebara及莱宝兼容）低温泵/冷...

型号：ISP-90排气速度90L/min极限真空：5pa(3.8×10-2Torr)功率：0.15kw噪音：52db泄漏量：1x10-2Pa.L/s（1x10-4mbar.L/s）重量：1...

主要特点适用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2样品（室温）4”热注入模式，温度可达600度2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度1个Bernas离子源非凡的铝注入能力一个主气...

专业供应无尘室全系列产品：无尘服、无尘鞋、无尘冒、手套、粘尘垫、镊子等全系列洁净无尘室用品。北京特博万德科技有限公司www.topvendor.com.cn李先生13810504825邮箱：hunt...

Remarks:lVacuumChamber,Aluminum,Rectangle,6”*6”*4”lElectrodeConfiguration,Silngle5”*5”HorizontallRF...

DESCRIPTIONAngstromCovapIIEvaporatorbasesystem??12"x17"H:6061-T651AluminumHingedLidChambe...

APPLICATION（应用）lVerticalLaboratoryVacuumHotPressfurnaceforthermalprocessingofresearchmaterialslTemp...