单晶 掺杂 导电 类型 载流子浓度cm-3 位错密 度cm-2 生长方法 尺寸 标准 基片 GaSb None None high R Zn Te Te high R P P- P+ N N 1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016 ＜103 LEC Φ3″ Φ3″×0.5 Φ2″×0.5
单晶
掺杂
导电 类型
载流子浓度cm-3
位错密 度cm-2
生长方法 尺寸
标准 基片
GaSb
None None high R Zn Te Te high R
P P- P+ N N
1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016
＜103
LEC Φ3″
Φ3″×0.5 Φ2″×0.5
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