磷化铟是以中国重要的化合物半导体材料，具有电子极限飘移速度高，耐辐射性好，导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路，在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事等领域应用十分广阔。
InP单晶参数
品种
类型
浓度(n)cm-3
迁移率(μ)cm2/V.S
电阻率ohm.cm)
位错密度(EPD)cm-2
纯InP
N
<3*1016
>1700
----
<50000
掺S
5*101718
-----
掺Zn
P
0.6*101818
>50
------
掺Fe
107~108
>107
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